|
☰ Все разделы → Комплектующие 6 Память для компьютера - CL 6 в городе Краснодар➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 6 Память для компьютера — купить в городе Краснодар и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 420 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Краснодар, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 420 шт:
Оперативная память объемом 2 Гб Kingston KVR800D2N6/2G позволит значительно увеличить производительность Вашего компьютера
Оперативная память Kingston KVR800D2S6/2G позволит увеличить производительность Вашего компьютера
Patriot Memory PSD22G80026 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6.
Patriot Memory PSD22G8002S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Оперативная память объемом 1 Гб Kingston KVR800D2N6/1G увеличит производительность Вашего ПК
Foxline FL800D2U6-4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
HP AH060AA - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2N6/512 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Оперативная память Crucial CT2KIT25664AC800 - DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200 pin, 2x2 ГБ, 1.8 В, CL 6
Оперативная память Kingston KVR800D2S6/4G - DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200 pin, 1x4 ГБ, 1.8 В, CL 6
445166-051 HP Оперативная память HP 1GB (1x1GB) Dual Rank Kit [445166-051] - тип: DDR2, объем одного модуля: 1 ГБ, тактовая частота: 800 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 6
Отзывы о 445166-051 HP Оперативная память HP 1GB (1x1GB) Dual Rank Kit [445166-051]
Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Micron MT16HTF25664HY-800E1 So-Dimm PC2-6400 для ноутбука - тип: DDR2, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 800 МГц, Форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 6
ОЗУ Dimm 4Gb PC2-6400(800)DDR2 Kingston KVR800D2N6/2G 9905429-0хх. A00LF (Kit 2x2Gb) - тип: DDR2, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 800 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2 шт., CL: 6
Отзывы о ОЗУ Dimm 4Gb PC2-6400(800)DDR2 Kingston KVR800D2N6/2G 9905429-0хх. A00LF (Kit 2x2Gb)
Team Group TEDD4096M800HC6DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED28G800HC6DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED24G800HC6DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22G800HC6DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED24G800HC601 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22G800HC601 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED21G800HC601 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TEDD1024M800HC6 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TEDD2048M800HC6DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TEDD2048M800HC6 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TEDD8192M800HC9DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22G800C6-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22GM800C6-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED24GM800C6-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED24GM800C6DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED24G800C6DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22GM800C6DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED22G800C6DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED21GM800C6-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TED21G800C6-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
GoodRAM GR800S264L6/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Geil GE38GB1333C6DC - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Geil GET316GB1333C6QC - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Geil GB38GB1333C6DC - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 996961 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 991949 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 996949 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 998683B - 3 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 998682B - 3 модуля памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 998706 - 3 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 996741 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TSDD1024M800C6-E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Team Group TSDD2048M800C6-E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Foxline FL800D2U6-1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Foxline FL800D2U6-2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Transcend TS512MQR72V8NL - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
GoodRAM GP1100D264L6/4GDC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1100 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Mushkin 991961 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
G.SKILL F3-12800CL6D-4GBXH - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D3S8S6/2G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
G.SKILL F3-12800CL6D-4GBPI - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Patriot Memory PSD21G800816 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTD-DM8400C6E/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTH-XW4400E6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTH-XW4400C6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTD-DM8400C6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTL2975C6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTD-DM8400C6E/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTD-DM8400C6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTL2975C6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTH-XW4400C6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTH-XW4400E6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTH-ZD8000C6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Patriot Memory PSD24G8002S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTA-MB800K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT51264AC800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2S6K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2E6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2S6K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT12864AA800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT12864AC800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2N6K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2S6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2N6K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT25664AA800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT25664AC800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT25664AC800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Samsung DDR3L 800 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Samsung DDR3L 800 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Patriot Memory PSD28G800K - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
GoodRAM GR1066D264L6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2E6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2E6K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2S4P6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2D8P6/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Kingston KVR800D2S6/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Crucial CT12864AA800 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6.
Crucial CT25672AA80E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 6" - в городе в Краснодар от 2х дней. Контакты - Краснодар » Изменить Город |